【読売新聞】　米ＩＢＭは２５日、回路の微細さを示す線幅が１ナノ・メートル（ナノは１０億分の１）を下回る世界初の半導体の基盤技術を開発したと発表した。０・７ナノ・メートル世代に相当する技術で、ＡＩ（人工知能）向け半導体の性能向上と省電 ...